Intel si Micron lanseaza cea mai densa memorie flash
1 februarie 2010
Intel Corp si Micron Technology Inc anunta dezvoltarea unei tehnologii flash NAND pe 25 nanometri, care va face posibila dublarea capacitatii de stocare pentru dispozitivele electronice, dar in acelasi timp micsorarea dimensiunilor. Noile memorii flash pe 25 nanometri vor contribui la accelerarea adoptarii solutiilor solid-state drive (SSD) pentru calculatoare, dar si dispozitive low-cost mai mici ca dimensiuni. Performanta e relativ egala cu cea a memoriilor de 34nm, insa sunt si cateva avantaje care vin reducerea dimensiunilor.
Drive-urile NAND pe 25nm au capacitate de 8GB si au fost create cu ultima tehnologie litografica, prin care celulele si tranzistorii din silicon sunt folositi pentru a stoca biti de date.
Joint-venture-ul dintre Intel si Micron dateaza din 2006, cand cele doua companii au inceput producerea chip-urilor pe structura de 50 nanometri. In 20089 s-a trecut la arhitectura pe 40nm, iar in 2010 asistam la lansarea tehnologiei de 25nm - cel mai mic semiconductor pana la aceasta data.
Sursa: mobile-news.ro